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Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM
| Artikelnummer: | FQB9N25CTM |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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-
Fairchild Semiconductor FQB9N25CTM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQB9N25CTM.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D2PAK (TO-263) Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.4A, 10V Verlustleistung (max) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Bulk Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Tc) FQB9N25CTM Einzelheiten PDF [English] FQB9N25CTM PDF - EN.pdf -
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